Дополнительные тайминги памяти
Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются расширенные возможности для настройки памяти и количество доступных таймингов может достигать десятка (рис. 9.4), а иногда и двух десятков. Дополнительные тайминги оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше
основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить но умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, вы можете несколько повысить производительность системы памяти с их помощью.
Рис. 9*4- Пример версии BIOS с расширенными возможностями настройки таймингов
Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов.
Q tRRD (RAS to RAS Delay) - задержка между активизацией строк разных банков.
tRC(Row Cycle Time), Row Active Time, Raw Pulse Width - длительность цикла строки памяти. Полный цикл состоит из времени от начала активизации строки до ее закрытия (tRAS) и задержки для формирования нового сигнала RAS# (tRP), то есть tRC = tRAS + tRP.
tWR (Write Recovery Time) - задержка между завершением операции за
писи и началом предзаряда.
G tWTR (Write to Read Delay) - задержка между завершением операции записи и началом операции чтения.
Q tRTP (Precharge Time) - интервал между командами чтения и предварительного заряда.
tREF (Refresh period) - частота обновления памяти. Может устанавливаться в тактах или микросекундах.
tRFC (ROW Refresh Cycle Time) - минимальное время между командой обновления строки (Refresh) и командой активизации или другой командой обновления. В некоторых версиях BIOS имеется возможность установки данного тайминга для каждого модуля памяти, а параметры будут называться соответственно Trf с 0/1/2/3 for DIMM 0/1/2/3.
Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию.